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技術(shù) | SiC襯底和外延材料對(duì)MOSFET器件特性的影響
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2024-03-09
詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算
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2023-11-17
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝
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2023-08-31
英飛凌推出TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET
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2023-08-03
SiC MOSFET——降低功率損耗，邁向碳中和
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芝識(shí)課堂
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2023-04-27
東芝SiC MOSFET為您開(kāi)啟電源新大門(mén)
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2023-04-27
如何避免MOSFET常見(jiàn)問(wèn)題和失效模式
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2023-04-25
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明
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2023-02-28
光電耦合器和MOSFET之間的差異
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2023-02-01
羅姆的第4代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車(chē)逆變器
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2022-12-28
如何使用 LTspice 仿真 SiC MOSFET：良好驅(qū)動(dòng)器的重要性
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2022-11-10
MOSFET選型10步法則
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2022-10-27
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
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2022-10-21
MOSFET選型10步法則
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2022-10-16
SiC-MOSFET特征及與Si-MOSFET、IGBT的區(qū)別
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2022-07-17
MOSFET 安全工作區(qū)域 SOA是什么
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2022-05-06
【干貨】技術(shù)角度看特斯拉批量召回可能原因分析--隱蔽的碳化硅MOSFET柵極諧振問(wèn)題
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2022-04-16
1.2kV SiC MOSFET中的主動(dòng)短路和重復(fù)短路
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2022-04-16
MOSFET器件選型的3****則，教你成為器件選型大師
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2022-04-16
重磅新品｜清純半導(dǎo)體推出國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
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2022-04-13
MOSFET 之父：Dawon Kahng 和 Martin Atalla
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2021-12-21
盤(pán)點(diǎn) | 重中之重的功率半導(dǎo)體，全球MOSFET制造商有哪些？?
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2021-06-29
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